L’arséniure de gallium est un composé chimique de formule brute GaAs appartenant à la famille des semiconducteurs III-V. C’est un matériau semiconducteur à gap direct présentant une structure cristalline cubique de type sphalérite (blende).
Il est utilisé notamment pour réaliser des composants micro-ondes, des circuits intégrés monolithiques hyperfréquences, des composants opto-électroniques, des diodes électroluminescentes dans l’infrarouge, des diodes laser, des cellules photovoltaïques et des fenêtres optiques. Le GaAs est dit « III-V » car le gallium et l’arsenic se trouvent respectivement dans le groupe 13 et le groupe 15 du tableau périodique, appelés jadis colonne IIIB et colonne VB, et donc trois et cinq électrons de valence.
L’arséniure de gallium est couramment utilisé comme substrat pour la croissance épitaxiale d’autres III-V tels que l’arséniure d’indium-gallium (en) InxGa1−xAs et l’arséniure de gallium-aluminium AlxGa1−xAs.
