Le phosphure d’indium possède comme la plupart des semi-conducteurs III-V (GaAs, InAs, etc.) une structure de type « blende », c’est-à-dire deux mailles cubiques faces centrées (cfc) de chacun des deux composants imbriquées et décalées d’un vecteur (1/4;1/4;1/4), ou d’un autre point de vue, une maille cfc de l’un des constituants dont quatre des huit sites tétraédriques sont occupés par l’autre constituant. Il possède donc une géométrie tétragonale où chaque ion indium est lié à quatre ions phosphore, et vice-versa.
